1T-TaS2 _bulk crystals 中的坡度反转记忆
强关联电子
2025-07-08 v1 材料科学
摘要
坡度反转记忆(ramp reversal memory, RRM)是一种非易失性存储效应，此前仅在表现出温度驱动金属-绝缘体转变(MIT)的相关氧化物中被观察到。在本质上，当系统 exhibiting RRM 被加热至MIT 区域内的特定温度——即金属域与绝缘体域共存的温度——然后通过反转温度坡度进行冷却时，后续加热循环中的电阻会增加。关键在于，这一增加仅在反转温度附近发生，表明系统"记住"了该温度。然而，这种记忆在下一次加热循环中会被抹除。尽管这种效应可能在 various 系统中显现，但迄今为止仅在相关过渡金属氧化物的薄膜中报告，包括 VO2、V2O3 和 NdNiO3。本文报告了在层状材料1T-TaS2晶体中观察到RRM的现象，该材料在电荷密度波转变附近发生MIT，温度约为190 K。我们的发现提供了RRM是一种更普遍现象的有力证据，超越了此前研究的氧化物。有趣的是，TaS2中的RRM显示出显著不同的特征：它发生在从冷却到加热的反转情况下（而非从加热到冷却），其大小——即记忆"强度"——约为相关氧化物的近一个数量级。虽然我们讨论了TaS2中RRM的可能机制，但仍缺乏一个综合的第一性原理模型。我们希望本研究将促使对坡度反转记忆背后机制的进一步调查，从而增进我们对这一独特现象的理解。
引用
@article{arxiv.2409.11977,
title = {Ramp reversal memory in bulk crystals of 1T-TaS2},
author = {Avital Fried and Ouriel Gotesdyner and Irena Feldman and Amit Kanigel and Amos Sharoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.11977},
year = {2025}
}
备注
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