离子导体 Rb$_{2}$Ti$_{2}$O$_{5}$ 中的记忆效应
无序系统与神经网络
2018-10-17 v1 材料科学
摘要
近期对 Rb2Ti2O5 晶体的研究展示了显著的电气特性。该材料在 200 K 至 330 K 之间表现出巨电极化。在本工作中，我们报道了由于电荷积累而在 Rb2Ti2O5 中观察到的记忆效应，并讨论了该材料真正的忆阻特性。我们为该体系提出了一个解析模型，该模型考虑了离子扩散和离子迁移，并与所观察到的材料挥发性忆阻特性相符良好。
引用
@article{arxiv.1803.11487,
title = {Memory effects in the ion conductor Rb$_{2}$Ti$_{2}$O$_{5}$},
author = {Rémi Federicci and Stéphane Holé and Vincent Démery and Brigitte Leridon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.11487},
year = {2018}
}
备注
5 figures