化学非均匀氧化钒晶体中离散电开关现象的起源

B. Raju Naik; Yadu Chandran; Kakunuri Rohini; Divya Verma; Shriram Ramanathan; Viswanath Balakrishnan

化学非均匀氧化钒晶体中离散电开关现象的起源

应用物理 2024-01-11 v1 材料科学

作者: B. Raju Naik , Yadu Chandran , Kakunuri Rohini , Divya Verma , Shriram Ramanathan , Viswanath Balakrishnan

摘要

在典型量子材料如VO2中，电驱动的绝缘体-金属转变为设计新型固态器件提供了基础平台。调节V:O化学计量比提供了一个具有非平凡集体特性的广阔电子相空间。在此，我们报告了在氧化钒晶体中发现的离散阈值开关电压，其在不同循环间具有恒定的阈值电压差。在超过10000次循环中观察到的阈值场比化学计量VO2所记录的低约100倍，并表现出独特的离散行为。我们将观察到的离散忆阻器行为与价态变化机制以及空间分布的VO2-VnO2n-1复杂氧化物相的化学成分波动关联起来。因此，在莫特绝缘体中设计化学非均匀性为实现低能耗神经形态器件提供了一条有趣的途径。

关键词

氧化钒绝缘体-金属转变离散开关阈值电压化学非均匀性忆阻器神经形态器件

引用

@article{arxiv.2401.05222,
  title  = {Origin of discrete electrical switching in chemically heterogeneous vanadium oxide crystals},
  author = {B. Raju Naik and Yadu Chandran and Kakunuri Rohini and Divya Verma and Shriram Ramanathan and Viswanath Balakrishnan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2401.05222},
  year   = {2024}
}

备注

21 pages, 4 figures

化学非均匀氧化钒晶体中离散电开关现象的起源

摘要

关键词

引用

备注

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