用于挥发性阈值阻变及神经器官应用的相变材料
材料科学
2025-07-08 v2 应用物理
摘要
挥发性阈值阻变和基于相变材料（具体指经金属-绝缘态相变）的神经振荡器具有快速低场挥发性开关、可调性和随机动力学等独特特性。这些特性在模拟神经行为和解决复杂计算问题方面尤为有前景。本综述总结了近期在开发基于三个具有电子和结构相变代表材料的挥发性阻变器件和神经振荡器方面的最新进展，这些材料在不同的技术成熟度水平下：已广泛研究的相关氧化物VO2、金属-绝缘体过渡金属化合物1T-TaS2，以及新兴的相变化合物钙钛矿结构BaTiS3。我们从材料开发和器件实现的角度讨论了这些进展。最后，我们强调必须为这些相变材料的实际应用解决的主要挑战，并对这一快速发展领域的未来研究方向展望。
引用
@article{arxiv.2502.11685,
title = {Phase-change materials for volatile threshold resistive switching and neuronal device applications},
author = {Huandong Chen and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.11685},
year = {2025}
}