三元硫属化物 BaTiS3 中的电荷密度波阻变开关与电压振荡
材料科学
2023-11-09 v1 应用物理
摘要
相变材料因在相变前后呈现不同电学特性，因其在电子器件中的潜在应用而受到相当关注。具有金属-绝缘体或电荷密度波（CDW）相变的材料（如 VO2 与 1T-TaS2）已展示出由于其稳健的双态阻变行为及某些基本神经元特性而产生的电压振荡。BaTiS3 是一种窄带隙三元硫属化物，最近报道在 245 K 以下出现 CDW 序。在此，我们报道在 BaTiS3 器件中发现由直流电压/电流诱导的、介于 CDW 相与室温半导体相之间的可逆阈值开关。该阻变行为与焦耳热机制一致，且通过利用 CDW 相变及相关的负微分电阻，已演示出频率高达 1 kHz 的持续电压振荡。减小沟道尺寸与改进热管理的策略可进一步提升器件性能。我们的发现确立了 BaTiS3 作为未来高能效电子器件（尤其是神经形态计算）中有前景的 CDW 材料。
引用
@article{arxiv.2303.14169,
title = {Charge-density-wave resistive switching and voltage oscillations in ternary chalcogenide BaTiS3},
author = {Huandong Chen and Nan Wang and Hefei Liu and Han Wang and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.14169},
year = {2023}
}