过渡金属二硫族化物 1T-VSe$_2$ 中应变工程诱导的 $4a\times\sqrt{3}a$ 电荷密度波相
材料科学
2017-07-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在 c-面蓝宝石衬底上通过分子束外延合成的应变 1T-VSe 薄膜中的矩形电荷密度波（CDW）相。所观测到的 CDW 结构表现出非常规的矩形 周期性，这与先前在块体晶体和剥离薄层样品中报道的六角 结构不同。隧道谱学显示了相同 CDW 周期性的局域态密度强烈调制以及 meV 的能隙。CDW 能隙在温度低于 500 mK 时演变为完整能隙，表明在极低温下发生了向绝缘相的转变。第一性原理计算证实了源自声子色散中软模的 和 两种结构的稳定性。在应变存在时该非常规结构成为优先结构，与实验结果一致。
引用
@article{arxiv.1707.06890,
title = {Strain Engineering a $4a\times\sqrt{3}a$ Charge Density Wave Phase in Transition Metal Dichalcogenide 1T-VSe$_2$},
author = {Duming Zhang and Jeonghoon Ha and Hongwoo Baek and Yang-Hao Chan and Fabian D. Natterer and Alline F. Myers and Joshua D. Schumacher and William G. Cullen and Albert V. Davydov and Young Kuk and M. Y. Chou and Nikolai B. Zhitenev and Joseph A. Stroscio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.06890},
year = {2017}
}