利用纳米级闪存技术对硅光子微环谐振器进行后修整
应用物理
2017-05-24 v1 光学
摘要
闪存技术在现代微电子学中极为普遍，并在本质上影响着我们的日常生活。考虑到光子电路，特别是硅光子电路的最新进展，现在有机会将闪存技术嵌入光子应用中。能够从这种集成中获益的一个特别有前景的候选者是光子谐振器。迄今为止，芯片级谐振器是现代硅光子平台中不可或缺的基础构建模块。然而，由于不可避免的制造缺陷，它们的特性，特别是谐振频率，会偏离其设计值，这对此类器件的适用性施加了严格的限制。在此，我们提出了解决这一主要障碍的方案，并展示了一种用于此类谐振器后修整的电气方法。这是通过将成熟的闪存技术集成到光子电路中来实现的。更具体地说，我们使用纳米级硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅 (SONOS) 结构来捕获位于硅器件层附近的薄氮化硅层中的电荷。这使得电荷能够在硅中积累，从而改变光学模式的有效折射率，进而改变谐振频率。通过这样做，我们提供了一种稳健且优雅的 CMOS 兼容存储解决方案，可以轻松地制造和商业化。我们期望这种方法能够为在芯片级光子和电光系统中更高效地利用谐振器和干涉仪铺平道路，其应用范围广泛，例如滤波器、调制器、传感器和激光器等。
引用
@article{arxiv.1705.08290,
title = {Post trimming of silicon photonics microresonators by nanoscale flash memory technology},
author = {Meir Grajower and Noa Mazurski and Joseph Shappir and Uriel Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.08290},
year = {2017}
}