集成磁光非易失性多位存储器

我们提出了一种集成磁光器件，用于非易失性多位自旋电子存储器的全光开关。这些位基于独立的磁隧道结，其自由层具有垂直磁化且可全光切换，并耦合到磷化铟平台上光子晶体纳米梁谐振腔上。该器件通过在与谐振腔共振时局部增加光的功率吸收，来实现位磁化状态的切换。我们设计了一个谐振腔的上/下路网络，以通过波分复用方案授予对多个位的随机访问权限。基于三维时域有限差分法，我们在数值上展示了一种紧凑的器件，能够在不同谐振腔中切换和访问 8 个位，且在常规（C）通信波段内具有 5 nm 的波长间隔。我们的多位器件有望成为开发超快光寻址自旋电子存储器的新范式，并可能为光驱动自旋电子神经形态计算赋予新的机遇。