材料相变诱导的光子拓扑相变
光学
2025-09-03 v1
摘要
光子拓扑绝缘体（PTI）被提出作为电子系统中拓扑绝缘体的类比。特别是，二维PTI因其在集成电路应用中的潜力而受到关注。然而，由于光子拓扑需要内置特定结构，制造后控制拓扑相变得困难。本研究实验演示了由精心设计的相变材料Ge2Sb2Te5（GST）纳米图案相变诱导的二维PTI中的能带反转，这标志着首次观察到伴随陈数变化的光子拓扑相变。该方法允许我们直接改变拓扑不变量，这是通过具有与原始PTI不同对称性的GST纳米图案引入对称性破缺微扰实现的。我们方案的成功归功于GST纳米图案的超精细光刻对准技术。这些结果展示了以可重构方式控制光子拓扑性质的能力，为可重构光子处理电路提供了新可能性的见解。
引用
@article{arxiv.2406.08783,
title = {Photonic topological phase transition induced by material phase transition},
author = {Takahiro Uemura and Yuto Moritake and Taiki Yoda and Hisashi Chiba and Yusuke Tanaka and Masaaki Ono and Eiichi Kuramochi and Masaya Notomi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.08783},
year = {2025}
}