缓冲层增强的薄膜钙钛矿中电脉冲诱导电阻存储效应
强关联电子
2016-08-31 v1 材料科学
摘要
开发了一种多层钙钛矿薄膜电阻存储器件，其结构包括：在YBCO底电极上的Pr0.7Ca0.3MnO3 (PCMO) 钙钛矿氧化物外延层；在PCMO层上生长的薄氧化钇稳定氧化锆 (YSZ) 缓冲层；以及金薄膜顶电极。通过XRD和TEM分析表征了多层薄膜的晶格结构，显示出高质量异质结构。I-AFM分析表明，PCMO薄膜表面均匀分布着纳米颗粒导电性。与无缓冲层的电阻存储器件相比，加入YSZ缓冲层后，器件开关所需的脉冲电压显著降低，电阻开关比增大，这对器件制造非常重要。在不同温度下对多层结构电阻的磁场效应研究表明，高阻态和低阻态均表现出CMR行为，暗示开关行为中存在体材料组分的贡献。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510060,
title = {Buffer-Enhanced Electrical-Pulse-Induced-Resistive Memory Effect in Thin Film Perovskites},
author = {Xin Chen and Naijuan Wu and Alex Ignatiev and Qing Chen and Yue Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510060},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 4 figures