SOI 上电感衬底工程以改善 Q 因子及其在 LNA 中的应用
应用物理
2020-08-21 v1 系统与控制
系统与控制
摘要
高 Q 因子电感在 SOI 工艺上设计高性能射频/微波电路中至关重要。衬底损耗是设计高 Q 因子电感时的关键限制因素。在此背景下，我们报道了一种衬底工程方法，能够改善 SOI 上已制备电感的品质因数。利用一种新颖的飞秒激光铣削工艺制备局部悬浮的电感薄膜，其处理硅被完全刻蚀。此类在 BOX 上自由悬浮的柔性薄膜使单匝电感的 Q 因子提升高达 92%。由于并联电容减小，使得电感在高频下工作增强，大尺寸电感的 Q 因子得到报道中的改善。已开发一种紧凑模型提取方法对电感薄膜建模。这些薄膜已被用于改善工作在 4.9、5.9 GHz 频段 LNA 的噪声性能。通过对现有设计将 LNA 电路的输入侧电感悬浮，报道噪声系数改善了 0.1 dB。本工作报道的衬底工程方法不仅适用于电感，也适用于有源电路，使其成为增强射频器件的强有力工具。
引用
@article{arxiv.2008.09030,
title = {Substrate engineering of inductors on SOI for improvement of Q-factor and application in LNA},
author = {Arun Bhaskar and Justine Philippe and Vanessa Avramovic and Flavie Braud and Jean-François Robillard and Cédric Durand and Daniel Gloria and Christophe Gaquiere and Emmanuel Dubois},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.09030},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 13 figures