利用激光加工局部去除衬底缓解RF开关中的衬底耦合效应
应用物理
2021-09-21 v1
摘要
随着射频(RF)/微波技术的发展,对能够满足极高挑战性RF前端规格的电路需求日益增长。绝缘体上硅(SOI)技术是下一代无线技术的主流平台之一。由衬底耦合引起的性能退化是电信电路亟需解决的关键问题,尤其是对于RF前端中的高掷数开关。在此背景下,开发了一种局部去除衬底的新技术,用于制备毫米尺寸RF开关的薄膜结构,可实现硅衬底的完全刻蚀。薄膜结构的RF表征显示出优越的线性度性能,与高阻SOI衬底相比,二次谐波降低17.7 dB,插入损耗改善0.38 dB。这一改善显著提升了前端效率。这些结果展示了利用制造后衬底处理技术优化电路性能的新途径。
引用
@article{arxiv.2109.09452,
title = {Mitigation of substrate coupling effects in RF switch by localized substrate removal using laser processing},
author = {Arun Bhaskar and Justine Philippe and Etienne Okada and Flavie Braud and Jean-François Robillard and Cédric Durand and Frédéric Gianesello and Daniel Gloria and Christophe Gaquière and Emmanuel Dubois},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.09452},
year = {2021}
}
备注
9 pages, 12 figures