无杂质掺杂发射极和基极的肖特基集电极双极晶体管：设计与性能
介观与纳米尺度物理
2013-08-21 v1
摘要
本文报道了一种在不掺杂超薄 SOI 薄膜的情况下实现肖特基集电极双极晶体管的替代方法。通过使用不同金属功函数的电极，在本征硅薄膜中感应出电子和空穴，分别形成 n 型发射极和 p 型基极区域。利用二维器件仿真，评估了所提出器件的性能。结果表明，与常规器件相比，基于电荷等离子体且具有肖特基集电极的双极晶体管表现出更高的电流增益和更好的截止频率。
引用
@article{arxiv.1308.4286,
title = {Schottky Collector Bipolar Transistor without Impurity Doped Emitter and Base: Design and Performance},
author = {Kanika Nadda and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4286},
year = {2013}
}