利用新型表面积累层晶体管(SALTran)概念实现高电流增益PNP晶体管
介观与纳米尺度物理
2010-08-19 v1
摘要
本文报道了一种基于SOI的新型PNP表面积累层晶体管(SALTran)，它利用发射极接触附近空穴的表面积累概念来显著提高电流增益。通过二维仿真，我们将所提出器件的特性与先前发表的常规PNP横向双极晶体管(LBT)结构进行了详细比较，从而评估了其性能。从我们的仿真结果观察到，根据发射极掺杂和发射极长度的选择，所提出的SALTran的电流增益比兼容的横向双极晶体管提高了约20倍，且未降低截止频率。我们基于详细的仿真结果讨论了SALTran性能改善的原因。
引用
@article{arxiv.1008.3017,
title = {Realizing high current gain PNP transistors using a novel Surface Accumulation Layer Transistor (SALTran) concept},
author = {M. Jagadesh Kumar and Vinod Parihar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.3017},
year = {2010}
}
备注
http://web.iitd.ac.in/~mamidala/