双层MoS2场效应晶体管中的非对称肖特基接触
介观与纳米尺度物理
2018-08-21 v1
摘要
我们讨论了以CVD合成的双层MoS2为沟道、Ti为肖特基接触的后栅极场效应晶体管的高偏压电学特性。我们发现MoS2上氧化的Ti接触形成整流结，肖特基势垒高度约为0.3至0.5 eV。为解释晶体管的整流输出特性，我们提出一种基于两个略微非对称背靠背肖特基势垒的模型，其中最大电流来自电偏置结处的镜像力势垒降低，而反向电流源于接地结处受肖特基势垒限制的电子注入。该器件在5 mWcm-2白光LED照射下实现大于2.5 AW-1的 photo responsivity（光电响应度）。通过比较两探针与四探针测量，我们证明晶体管表现出的迟滞与持久光电导是MoS2沟道的特性，而非Ti/MoS2界面的效应。
引用
@article{arxiv.1808.02119,
title = {Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS2 Field Effect Transistors},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Alessandro Grillo and Francesca Urban and Laura Iemmo and Filippo Giubileo and Giuseppe Luongo and Giampiero Amato and Luca Croin and Linfeng Sun and Shi-Jun Liang and Lay Kee Ang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.02119},
year = {2018}
}
备注
22 pages, 5 figure