通过 IBIC 显微术评估 4H-SiC 肖特基二极管的辐射硬度
材料科学
2023-02-15 v1 应用物理
仪器与探测器
摘要
我们报道了关于 4H-SiC 肖特基势垒二极管（SBD）的离子束诱导电荷（IBIC）表征结果，涉及由 20 MeV C 离子辐照（注量从 20 到 200 ions/um2）引起的电荷收集效率（CCE）分布的改变。对原始二极管截面进行的 4 MeV 质子横向 IBIC 显微术，揭示了耗尽层扩展随外加偏压的变宽，并允许测量少数载流子扩散长度。在用 C 离子辐照后，横向 IBIC 显示 CCE 分布显著改变，随着损伤 C 离子注量的增加，耗尽层逐渐收缩。一个简单的静电模型排除了收缩源于注入电荷的可能，并将静电图景的扰动归因于具有正电荷态的辐射诱导缺陷。
引用
@article{arxiv.2211.05740,
title = {4H-SiC Schottky diode radiation hardness assessment by IBIC microscopy},
author = {Ettore Vittone and Paolo Olivero and Milko Jaksic and Zeljko Pastuovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.05740},
year = {2023}
}