单晶合成金刚石探测器的横向 IBIC 表征
仪器与探测器
2016-08-30 v1
摘要
为评估基于 p 型/本征/金属构型的单晶金刚石器件的电荷收集效率（CCE）分布，使用 2 MeV 质子微束对其解理截面进行了横向离子束诱导电荷（IBIC）分析。在不同偏压下从截面分布图中提取了深度方向的 CCE 分布。与正面肖特基电极下方延伸的耗尽区相关的 IBIC 谱显示出 100% 的 CCE，谱分辨率约为 1.5%。高效率区宽度对施加偏压的依赖性使得可以评估有源区的恒定残余掺杂浓度。电场缺失的区域显示出指数衰减的 CCE 分布，由此可以通过漂移-扩散模型估算少子的扩散长度。
引用
@article{arxiv.1608.07594,
title = {Lateral IBIC characterization of single crystal synthetic diamond detectors},
author = {A. Lo Giudice and P. Olivero and C. Manfredotti and M. Marinelli and E. Milani and F. Picollo and G. Prestopino and A. Re and V. Rigato and C. Verona and G. Verona-Rinati and E. Vittone},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.07594},
year = {2016}
}
备注
17 pages, 6 figures