纳米图案化LAO/STO异质结构中的侧壁耗尽
介观与纳米尺度物理
2015-02-24 v1
摘要
我们报道了由 LaAlO/ SrTiO (LAO/STO) 界面形成的准二维电子气（q2DEG）制备纳米结构。该工艺使用电子束光刻结合反应离子刻蚀。此技术允许图案化高质量结构，横向尺寸小至 nm，同时保持导电特性而不在STO衬底中诱导导电性。不同宽度图案化霍尔条的温度依赖输运特性显示，在低温以及室温下导电性仅具有小的尺寸依赖性。该偏差可由狭窄的横向耗尽区解释。图案化过程的所有步骤均完全与工业兼容。
引用
@article{arxiv.1502.06382,
title = {Sidewall depletion in nano-patterned LAO/STO heterostructures},
author = {M. Z. Minhas and H. H. Blaschek and F. Heyroth and G. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06382},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures