非磁性Au/GaAs:Si肖特基势垒中的磁介电耦合
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
我们报道了在非磁性Au/GaAs:Si肖特基势垒中此前未被注意到的巨大负磁电容（>20%），并将其归因于磁场诱导的浅施主Si杂质原子结合能的增加。耗尽电容（Cdep）色散识别出杂质电离和俘获过程，这些过程导致电离杂质密度依赖于磁场。内光电发射实验证实，从1/Cdep^2随电压变化测量推断出的内建电势的大场致位移并非由场依赖的肖特基势垒高度引起，因此需要修改突变结近似以解释所观察到的磁介电耦合。
引用
@article{arxiv.0906.0594,
title = {Magnetodielectric Coupling in Nonmagnetic Au/GaAs:Si Schottky Barriers},
author = {S. Tongay and A. F. Hebard and Y. Hikita and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.0594},
year = {2015}
}
备注
25 pages, 5 figures, submitted to Phys. Rev. B