具有大电子浓度和电流调制能力的 Au 栅极 SrTiO3 场效应晶体管
材料科学
2015-06-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在混合分子束外延生长的 n 型 SrTiO3 薄膜上制备低漏电整流 Pt 和 Au 肖特基二极管以及 Au 栅极金属半导体场效应晶体管（MESFETs）的情况。与之前的研究一致，我们发现与 Pt 相比，Au 与 SrTiO3 提供了更高的肖特基势垒高度。由于 SrTiO3 的大介电常数和 Au 的大肖特基势垒高度，Au 栅极 MESFETs 能够调制约 1.6 x 1014 cm-2 的电子密度，这是任何材料系统中使用金属栅极所达到的最高调制水平。这些 MESFETs 调制的电流密度高达约 68 mA/mm，比已演示的最佳 SrTiO3 MESFETs 大约 20 倍。我们还讨论了界面层的作用以及 SrTiO3 的场依赖介电常数在提高 MESFET 夹断电压中的作用。
引用
@article{arxiv.1409.4509,
title = {Au-Gated SrTiO3 Field-Effect Transistors with Large Electron Concentration and Current Modulation},
author = {Amit Verma and Santosh Raghavan and Susanne Stemmer and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.4509},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters