利用SrTiO3/SmTiO3 FinFET中的电容增强实现大电子浓度调制
介观与纳米尺度物理
2016-05-25 v1 强关联电子
摘要
在复杂氧化物异质界面（例如SrTiO3/GdTiO3或SrTiO3/SmTiO3）处，对应于每个界面晶胞1/2个电子的极端（~3.3 x 1014 cm-2）密度的二维电子气（2DEGs）的固态调制具有挑战性，因为它需要巨大的栅极电容。实现大栅极电容的一种方法是通过鳍片结构中的几何电容增强。在这项工作中，我们在混合分子束外延（hMBE）生长的60nm SrTiO3/5nm SmTiO3薄膜上制备了金栅平面场效应晶体管（FETs）和具有不同鳍片宽度的Fin-FETs。我们发现FinFETs相比平面FETs表现出更高的栅极电容。通过缩小SrTiO3/SmTiO3鳍片宽度，我们展示了进一步的栅极电容增强，几乎是平面FETs的两倍。在具有最窄鳍片宽度的FinFETs中，我们展示了创纪录的2DEG电子浓度调制~2.4 x 1014 cm-2。
引用
@article{arxiv.1605.01680,
title = {Large Electron Concentration Modulation using Capacitance Enhancement in SrTiO3/SmTiO3 FinFETs},
author = {Amit Verma and Kazuki Nomoto and Wan Sik Hwang and Santosh Raghavan and Susanne Stemmer and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.01680},
year = {2016}
}