Nano-Sim：一种基于步进等效电导的纳米电路设计统计模拟器
性能
2011-11-09 v1
摘要
新型纳米器件正逐步取代 CMOS 器件，以克服 CMOS 技术的缩放限制。然而，许多此类器件表现出非单调的电流 - 电压（I-V）特性及不确定的属性，导致负微分电阻（NDR）问题和混沌性能。本文提出了一种新的电路仿真方法，能够有效仿真具有不确定输入源和负微分电阻（NDR）问题的纳米器件。实验结果表明，与现有仿真器相比，该方法实现了 20 至 30 倍的速度提升。
引用
@article{arxiv.0710.4633,
title = {Nano-Sim: A Step Wise Equivalent Conductance based Statistical Simulator for Nanotechnology Circuit Design},
author = {Bharat Sukhwani and Uday Padmanabhan and Janet M. Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.4633},
year = {2011}
}
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