基于高电子迁移率 GaAs/AlGaAs 异质结构的等离激元太赫兹探测器
介观与纳米尺度物理
2014-06-09 v3 材料科学
摘要
为了表征磁场 (B) 可调的太赫兹等离激元探测器，我们在液氦温度和高磁场下，对基于高电子迁移率 GaAs/AlGaAs 异质结构制造的器件进行了光谱实验。样品分为栅控型（具有蛇形栅极）和非栅控型。我们在固定的太赫兹激光激发下，获得了光电压谱随磁场 B 的变化关系；或在固定磁场下，利用傅里叶光谱仪获得了光电压谱随太赫兹光子频率的变化关系。在第一类测量中，激发的磁等离激元的波矢量由样品的几何特征决定。研究还发现，磁等离激元谱依赖于栅极几何形状，这为控制太赫兹探测器中的等离子体激发提供了一个额外参数。傅里叶谱显示回旋共振振幅强烈依赖于导带电子填充因子，这一现象可在太赫兹辐射加热电子气的模型框架内得到解释。本研究明确了基于高迁移率 GaAs/AlGaAs 异质结构的等离激元器件在低温和高磁场下进行太赫兹探测的优势与局限性。
引用
@article{arxiv.1404.2504,
title = {Plasmonic terahertz detectors based on a high-electron mobility GaAs/AlGaAs heterostructure},
author = {M. Białek and A. M. Witowski and M. Orlita and M. Potemski and M. Czapkiewicz and J. Wróbel and V. Umansky and M. Grynberg and J. Łusakowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.2504},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 11 figures