面向水平纳米线场效应晶体管实现短沟道高质量环绕栅结构
应用物理
2019-05-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们介绍了一种用于环绕栅纳米线场效应晶体管的制备方法。利用抗蚀剂沟槽对准技术，将单根纳米线垂直于底层底栅对齐。随后定义与底栅对齐的顶栅，以形成环绕栅结构。该方法克服了以往水平包裹栅纳米线晶体管中因栅极由湿法刻蚀定义而导致的可获最小栅长及栅长控制方面的显著局限。在此提出的方法中，栅长控制受限于电子束光刻工艺的分辨率。我们通过制备具有独立底栅、顶栅和环绕栅结构的器件，以及具有三个独立环绕栅结构（栅长分别为 300 nm、200 nm 和 150 nm）的器件，展示了该方法的通用性。我们的方法使我们能够在 150 nm 栅长下于 77 K 实现低至 38 mV/dec 的亚阈值摆幅。
引用
@article{arxiv.1810.03359,
title = {Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors},
author = {J. G. Gluschke and J. Seidl and A. M. Burke and R. W. Lyttleton and D. J. Carrad and A. R. Ullah and S. Fahlvik Svensson and S. Lehmann and H. Linke and A. P. Micolich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.03359},
year = {2019}
}
备注
Submitted to Nanotechnology