具有多个独立环绕栅极段的 InAs 纳米线晶体管
介观与纳米尺度物理
2015-05-08 v1
摘要
我们报道了一种制备具有多达四个独立可控环绕栅极段(wrap-gated segments)的水平环绕栅极纳米线晶体管的方法。虽然步进到两个独立环绕栅极需要对制备方法进行重大改变，但这种新方法以及更普遍的水平取向的一个关键优势是，实现两个以上的环绕栅极段无需额外的制备步骤。这与垂直取向形成对比，在垂直取向中，对于每个附加栅极都需要重复相当一部分制备步骤。我们表明，尽管相邻环绕栅极段之间的间隔小于 200 nm，串扰(cross-talk)可忽略不计。我们还展示了使用完全相同的工艺在单根纳米线上制造多个环绕栅极晶体管的能力。水平环绕栅极纳米线晶体管优异的可扩展性潜力使其非常有利于先进纳米线器件的开发，并可能与垂直环绕栅极纳米线晶体管在 3D 纳米线网络架构中集成。
引用
@article{arxiv.1505.01689,
title = {InAs nanowire transistors with multiple, independent wrap-gate segments},
author = {A. M. Burke and D. J. Carrad and J. G. Gluschke and K. Storm and S. Fahlvik Svensson and H. Linke and L. Samuelson and A. P. Micolich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.01689},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 5 figures, In press for Nano Letters (DOI below)