垂直耦合GaAs/AlGaAs双量子线系统中的隧穿与非线性输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v3
摘要
我们报道了在独立接触的垂直耦合量子线系统中的低维隧穿。该纳米结构是在高质量GaAs/AlGaAs平行双量子阱异质结构中制造的。使用新颖的倒装芯片技术来对准顶部和底部分裂栅极，以在每个独立接触的量子阱中形成低维收缩，我们明确控制了各条线的子带占据。除了预期的2D-2D隧穿结果外，我们还发现了与1D量子线相关的额外隧穿特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411093,
title = {Tunneling and nonlinear transport in a vertically coupled GaAs/AlGaAs double quantum wire system},
author = {E. Bielejec and J. A. Seamons and J. L. Reno and M. P. Lilly},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411093},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted to APL Minor revisions