性能提升的侧向纳米线环绕栅器件的简便制备
介观与纳米尺度物理
2012-02-02 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种用于制备具有高电容耦合和场效应迁移率的侧向纳米线环绕栅器件的简单工艺技术。我们的工艺使用电子束光刻，仅需单次旋涂光刻胶步骤，且不需要化学刻蚀。我们在 1.5-250 K 温度范围内测得 5-54 mV/decade 的亚阈值摆幅和 2800-2500 的迁移率——显著大于此前报道的侧向环绕栅器件。在耗尽状态下，由栅控区域引起的势垒高度与外加环绕栅电压成正比。
引用
@article{arxiv.1106.0796,
title = {Facile fabrication of lateral nanowire wrap-gate devices with improved performance},
author = {Sajal Dhara and Shamashis Sengupta and Hari S. Solanki and Arvind Maurya and Arvind Pavan R. and M. R. Gokhale and Arnab Bhattacharya and Mandar M. Deshmukh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0796},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 3 figures