无光刻法制备高质量衬底支撑和自支撑石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2010-03-25 v1
摘要
我们提出一种无光刻技术，用于制备洁净、高质量的石墨烯器件。该技术基于通过硬质硅掩模进行蒸发，消除了光刻工艺引入的污染物。我们证明，采用该技术制备的器件迁移率显著高于标准电子束光刻制备的器件。为获得超高迁移率器件，我们将该技术扩展到制备自支撑石墨烯样品，其迁移率高达120,000 cm²/Vs。
引用
@article{arxiv.1003.4543,
title = {Lithography-free Fabrication of High Quality Substrate-supported and Freestanding Graphene devices},
author = {W. Bao and G. Liu and Z. Zhao and H. Zhang and D. Yan and A. Deshpande and B. J. LeRoy and C. N. Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.4543},
year = {2010}
}