无光刻制备石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 超导电性
摘要
我们开发了一种无光刻、全干燥的制造工艺，用于制备石墨烯器件。通过使用超薄石英丝作为阴影掩模，可避免光刻过程中石墨烯可能的污染。该技术用于制备电子传输以及平面隧穿结的器件，用于n层石墨烯(nLG)，其中n=1,2,3以及更高。我们观察到nLG中的局域化行为以及在费米能级附近密度的 states(DOS)的 apparent 降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612128,
title = {Lithography-Free Fabrication of Graphene Devices},
author = {N. Staley and H. Wang and C. Puls and J. Forster and T. N. Jackson and K. McCarthy and B. Clouser and Y. Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612128},
year = {2015}
}