高质量石墨烯基莫耳超晶格器件的优化制作工艺

莫耳超晶格构成一种灵活的平台，用于探索由强相关性与拓扑相互作用产生的新现象，同时提供可实现的可调性。然而，莫耳超晶格的制作具有挑战性。在纳米制造过程中，难以实现具有精确扭转角的高度均匀器件，因为会无意引入异应变、扭转角失序以及角/晶格松弛。本文介绍一种针对石墨烯基莫耳超晶格器件的优化、经验导向的制作方案，重点关注修改的干转移技术。该转移过程在高度可调的定制化转移装置中进行，可实现位置、角度和温度的精确控制。通过结合严格的flake选择准则、预清洁的无气泡底栅以及石墨烯激光切割，在室温下以亚微米速度精确叠加扭转石墨烯flake，构建莫耳超晶格。通过对转移过程的精确控制，所制备的石墨烯莫耳超晶格器件表现出高均匀性和所需扭转角。该优化方案解决了石墨烯基莫耳超晶格器件制作中的现有挑战，为莫耳材料领域的进一步发展铺平了道路。