超洁净石墨烯与固态器件的界面集成
介观与纳米尺度物理
2014-08-27 v1
摘要
将石墨烯与固态器件进行界面集成并保持其无污染，是实现功能性器件（无论是半导体结构还是其他技术应用器件）的关键步骤。我们利用铂金属的催化特性，在将宏观石墨烯片转移至固态器件后完全去除聚合物覆盖层。为此，将涂有铂金属的结构靠近聚合物覆盖层。随后在 175 至 350{\deg}C 的空气中进行退火，可触发聚合物的完全催化去除。最后，移除铂金属催化剂，从而显露出与任意器件集成的超洁净石墨烯。将宏观石墨烯层与氧化硅晶圆进行界面集成的实验证明了该方法的普遍适用性。重复该过程还可制备多层石墨烯片。三张重叠石墨烯片的光学图像为后者提供了直接证据。通过低能电子透射显微镜在纳米尺度上检验了石墨烯极高的洁净度。
引用
@article{arxiv.1408.6114,
title = {Interfacing Ultraclean Graphene with Solid-State Devices},
author = {Jean-Nicolas Longchamp and Conrad Escher and Hans-Werner Fink},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6114},
year = {2014}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1210.6824