室温下无结 MOSFET 中光掺杂可调栅压量子限域效应的观测

在追求室温量子硬件的过程中，本研究在三栅 n 型无结 MOSFET 中引入了一种栅压可调的量子线。施加栅压会改变三栅无结 MOSFET 的抛物线形势阱，从而修正纳米线的势阱轮廓。在光照下，光生电子积聚在无结纳米线的中心，与受栅偏压影响的修正势阱轮廓对齐。中心的这些载流子远离界面，经历的界面噪声较少。因此，与暗态条件相比，这种洁净的光掺杂在室温下针对不同工作漏源电压，在特定栅偏压下显示出清晰且可重复的电流峰值。我们提出，纳米线栅可调势阱中由光掺杂诱导的子带占据是产生此类观测现象的根本原因。本研究揭示了实验发现，证明了从半经典域到量子域的栅致切换，随后是在室温下电子子带的光学占据。我们基于非平衡格林函数形式体系开发了一个紧凑模型，以更好地理解我们照明器件中的这一现象。这项工作揭示了在此类半经典输运中，量子限域效应在室温下依然存在。