h-BN/NbS$_3$异质结构器件中电荷密度波量子凝聚体的电场调控
强关联电子
2023-10-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了基于准一维NbS纳米线沟道与准二维h-BN栅介质层制备的顶栅异质结构器件中电荷密度波量子凝聚体的场效应调控。通过电阻率的温度依赖关系、非线性电流-电压特性，以及在射频激励与直流偏置混合作用下器件响应中出现的Shapiro台阶，验证了准一维NbS纳米线中的电荷密度波相与集体电流。结果表明，所施加栅偏置的电场可可逆地调控滑移电荷密度波凝聚体的集体电流。集体电流随正偏置增大而减小，表明表面效应对凝聚体迁移率有影响。在小源漏偏置下的单粒子电流表现出小幅度涨落行为，这归因于被钉扎或蠕变的电荷密度波凝聚体引起的背景势变化。关于准一维NbS纳米线中电荷密度波的电场效应的认识，有助于此类量子材料的潜在电子学应用。
引用
@article{arxiv.2310.19027,
title = {Electrical-Field Modulation of the Charge-Density-Wave Quantum Condensate in h-BN/NbS$_3$ Heterostructure Devices},
author = {Maedeh Taheri and Nicholas Sesing and Tina and T. Salguero and Alexander A. Balandin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19027},
year = {2023}
}
备注
17 pages; 5 figures