电门控纳米孔中场效应的去屏蔽
介观与纳米尺度物理
2010-10-07 v3 流体动力学
摘要
这项建模工作研究了场效应门控纳米孔的电气调制特性。在具有非重叠双电层的纳米孔中，包括孔径为德拜屏蔽长度 100 倍的纳米孔，观察到了高度非线性的电流调制。我们将这种扩展的场效应门控归因于去屏蔽效应，即由于强离子传输的存在，反离子并未完全弛豫以屏蔽门控电势。
引用
@article{arxiv.1005.5187,
title = {Descreening of Field Effect in Electrically Gated Nanopores},
author = {Yang Liu and David E. Huber and Vincent Tabard-Cossa and Robert W. Dutton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.5187},
year = {2010}
}