表面屏蔽效应对铯铌酸锂/钛酸�钼纳米域调制的影响

我们计算了铯铌酸锂和钛酸�钼铸矿石半导体中，由原子力显微镜尖端电场记录的纳米域的实际尺寸，与前期工作中高估的值进行了对比。我们修改了域形成模型，考虑了德布鲁斯屏蔽效应、因尖端与域边缘之间的发射电流导致的缓慢表面屏蔽层再充电，以及由带电尖端引起的域去极化场的重新分布。我们表明，域边缘的去极化场能、德布鲁斯屏蔽效应和高电压下的场发射导致平衡域尺寸的显著减小。我们得到，域的长度和半径随电压减小而不会连续减小：域在特定临界电压下以非零长度和半径出现。这种“阈值”域形成类似于一级相变，与最近的理论和实验研究相吻合。