无序纳米线中的门控调制热电势：I. 低温相干机制
介观与纳米尺度物理
2014-05-01 v3
摘要
利用一维紧束缚安德森模型，我们研究了在外部门存在下的无序纳米线，该门可用于耗尽其载流子密度（场效应晶体管器件配置）。在这第一篇论文中，我们考虑低温相干机制，其中电子通过纳米线的传输保持弹性。在纳米线长度超过电子局域长度的极限情况下，我们推导了典型热电势值作为门电势函数的三个解析表达式，分别对应于电子传输发生在 (i) 纳米线杂质带内，(ii) 其带边附近，以及最终 (iii) 其带外的情况。我们在带边处获得了典型热电势的非常大增强，而围绕典型值的样品间波动表现出从杂质带内的洛伦兹分布到接近带边时的高斯分布的急剧交叉。
引用
@article{arxiv.1310.4923,
title = {Gate-modulated thermopower in disordered nanowires: I. Low temperature coherent regime},
author = {Riccardo Bosisio and Geneviève Fleury and Jean-Louis Pichard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4923},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 8 figures, final version as published