一维量子限域效应调制的 InAs 纳米线热电性质
介观与纳米尺度物理
2013-03-18 v1
摘要
我们报告了对化学气相沉积合成的 InAs 纳米线的电导和温差电动势测量结果。在 T=40 至 300K 的温度范围内，实现了对直径约 20nm 的单个 InAs 纳米线温差电动势的栅极调制。在低温下（T< ~100K），随着栅极电压将 InAs 纳米线中电子的化学势移过准一维（1D）子带，观察到温差电动势和功率因子出现振荡，并伴随电导的阶梯式增加。这项工作实验证明了在扩散输运机制下，通过峰值化的一维电子态密度来调制半导体纳米线热电性质的可能性，这是纳米结构热电研究中长期追求的目标。此外，我们指出了散射（或无序）引起的能级展宽在抹平实际温度（例如 300K）下一维限域增强的热电功率因子方面的重要性。
引用
@article{arxiv.1303.3838,
title = {One-Dimensional Quantum Confinement Effect Modulated Thermoelectric Properties in InAs Nanowires},
author = {Yuan Tian and Mohammed R. Sakr and Jesse M. Kinder and Dong Liang and Michael J. MacDonald and Richard L. J. Qiu and Hong-Jun Gao and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.3838},
year = {2013}
}