InAs 纳米线的直径依赖电导
介观与纳米尺度物理
2009-12-23 v1
摘要
InAs 纳米线的电导与电子学应用及基础量子实验密切相关。本文采用标称未掺杂、略带锥度的 InAs 纳米线来研究其电导的直径依赖性。通过接触每根纳米线的多个区段，我们可以在单根纳米线内研究电导的直径依赖性，而无需比较不同的纳米线批次。在室温下，我们发现对于直径大于 40 nm 的情况，电导率与直径无关，这表明存在三维扩散输运。对于更小的直径，电阻显著增加，同时迁移率受到强烈抑制。通过对有效载流子密度的分析，我们发现了表面积累层的迹象。
引用
@article{arxiv.0912.4509,
title = {Diameter-dependent conductance of InAs nanowires},
author = {Marc Scheffler and Stevan Nadj-Perge and Leo P. Kouwenhoven and Magnus T. Borgström and Erik P. A. M. Bakkers},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4509},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures