直径小于 3 nm 的铜纳米线电子输运性质
介观与纳米尺度物理
2016-09-21 v1
摘要
采用密度泛函理论和密度泛函紧束缚方法，对直径约 1 nm 和 3 nm、具有不同晶体取向和表面终止的铜纳米线中的电子输运进行建模。研究发现，铜纳米线无论直径、晶体取向和/或表面终止如何，均表现为金属性。电子透射高度依赖于晶体取向和表面终止。沿 [110] 晶向排列的纳米线始终表现出最高的电子透射，而表面氧化的纳米线与未终止纳米线相比，电子透射显著降低。在每种情况下均计算了单位面积透射率；对于给定的晶体取向，我们发现该值在未终止纳米线中随直径减小，而在尺寸范围内表面氧化纳米线的单位面积透射率基本不受直径影响。输运路径图显示，未终止纳米线的表面透射大于纳米线内部，且表面氧化显著降低了纳米线表面的透射。最后，我们提出了一个简单模型，基于输运路径结果解释了单位面积透射率对直径的依赖关系。
引用
@article{arxiv.1609.06160,
title = {Electron transport properties of sub-3-nm diameter copper nanowires},
author = {Sarah L. T. Jones and Alfonso Sanchez-Soares and John J. Plombon and Ananth P. Kaushik and Roger E. Nagle and James S. Clarke and James C. Greer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06160},
year = {2016}
}