单电子晶体管的普适零偏压电导。II：与数值结果的比较
介观与纳米尺度物理
2010-01-13 v1 强关联电子
摘要
本文报道了对嵌入纳米器件导电路径中的量子点零偏压电导的数值重整化群研究。根据最近推导的关于温度依赖电导与描述对称安德森模型电导的普适函数之间的线性映射，对结果进行了检验。已知施加于传导电子的栅极电势会显著改变侧耦合到导电路径的量子点的输运性质；在本文讨论的嵌入几何结构中，类似的电势仅定量影响电导的温度依赖性。正如预期，在近藤区，数值结果与映射电导高度一致。在混合价区，该映射精确描述了电导的低温尾部。研究表明，该映射为单电子晶体管中的电导提供了统一视角。
引用
@article{arxiv.0906.4289,
title = {Universal zero-bias conductance for the single electron transistor. II: Comparison with numerical results},
author = {Makoto Yoshida and Antonio C. Seridonio and Luiz N. Oliveira},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.4289},
year = {2010}
}
备注
Sequel to arXiv:0906.4063. 9 pages with 8 figures