超薄自组装单分子膜结构的电学表征

金属氧化物半导体 (MOS) 结构的缩小方式即将达到极限，必须探索新器件作为 MOS 技术的替代方案。分子电子学，特别是硅基底上的自组装分子技术，如文献所示，给出了有趣的结果。我们将研究 n-烷基三氯硅烷在氧化硅上的接枝，利用椭圆偏振仪和测角仪测量在宏观尺度上对其进行表征，并利用原子力显微镜在微观尺度上进行表征。一旦验证了单分子膜的均匀性（粗糙度为几埃），我们测试了溅射沉积方法以在表面形成铝点。还测试了金属 - 绝缘体 - 半导体二极管，测量了栅极与基底之间的漏电流和电容 - 电压特性。溅射沉积方法可以改进以降低栅极漏电流，我们希望能测试另一种蒸发方法。我们想要研究的进一步应用是使用共轭有机薄膜或合成聚合物的气体传感器，涉及气体吸收时的漂移电流。