电场控制浅层掺杂硅中的载流子
凝聚态物理
2009-11-10 v1
摘要
我们提出了对硅中掺杂杂质的紧束缚模型研究，证明了该方法在此问题上足够可靠，通过与有效质量理论及实验结果进行比较。我们考察了系统对施加电场的响应：靠近 barrier 材料且处于均匀电场中的掺杂杂质可能根据杂质到 Si/barrier 界面距离的不同，发生两种不同的电离 regimes。我们指出，距离 barrier 约 5 nm 以下的杂质可在约 1 皮秒的开关时间内实现准静态电离，而距离 barrier 约 10 nm 或更深的杂质则无法通过外部均匀电场实现准静态电离。我们的结果与 proposed Si:P 量子计算机架构讨论相联系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308575,
title = {Electric Field Control of Shallow Donor Impurities in Silicon},
author = {A. S. Martins and R. B. Capaz and Belita Koiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308575},
year = {2009}
}
备注
18 pages, 6 figures, submitted to PRB