电场下SiO2/4H-SiC界面Kohn-Sham波函数的原子尺度局域化：偏离有效质量近似包络函数
材料科学
2023-06-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
为阐明SiO2/4H-SiC界面沟道电导率偏低的原因，我们在外加电场下利用密度泛函理论计算了SiC导带极小值处的波函数。我们发现，4H-SiC (0001) slab的波函数倾向于局域在最接近界面的立方位点上。重要的是，由于导带电子分布比有效质量近似（EMA）预期更接近界面（< 5 埃），它们更频繁地被界面缺陷散射。这被认为是(0001)面的沟道电导率相对于其他晶面（如(11-20)）特别低的原因。对于(0001)界面EMA的失效与4H-SiC晶体中沿[0001]方向的长结构周期性有关。
引用
@article{arxiv.2303.05085,
title = {Atomic scale localization of Kohn-Sham wavefunction at SiO2/4H-SiC interface under electric field, deviating from envelope function by effective mass approximation},
author = {Hironori Yoshioka and Jun-Ichi Iwata and Yu-ichiro Matsushita},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.05085},
year = {2023}
}