NO 退火对具有原子级台阶的 SiC(0001) 表面影响的密度泛函理论研究
材料科学
2024-01-09 v1
摘要
对具有原子级台阶的 4H-SiC(0001)/SiO 界面的电子结构进行了密度泛函理论计算，以研究 NO 退火的影响。SiC 导带边态的特征行为受到 SiO 区域中 O 原子的库仑相互作用以及界面台阶结构的广泛影响，导致在栅偏压下台阶边缘反型层的不连续性。空间上不连续的能带仅允许反型层中非常有限的导电路径，导致移动载流子密度显著降低。研究发现，当通过 NO 退火在界面插入氮化层时，O 原子的库仑相互作用被屏蔽，反型层变得连续。该结果与实验发现很好地一致，即 NO 退火对 SiC 金属-氧化物-半导体场效应晶体管性能的改善归因于移动电子密度的增加，而非反型层中电子迁移率的增加。
引用
@article{arxiv.2308.00413,
title = {Density functional theory study on effect of NO annealing for SiC(0001) surface with atomic-scale steps},
author = {Mitsuharu Uemoto and Nahoto Funaki and Kazuma Yokota and Takuji Hosoi and Tomoya Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.00413},
year = {2024}
}
备注
12 pages