栅介质叠层对硅反型层中二维电子气量子屏蔽的影响
介观与纳米尺度物理
2013-01-15 v2 强关联电子
摘要
本文建立了一套自洽理论，用于描述在存在叠层介质环境（在场效应晶体管语境中通常称为栅叠层）的情况下，硅反型层中二维电子气的自由载流子屏蔽。研究表明，介质叠层的有限厚度会改变自由载流子屏蔽这一关键量，它决定了反型层中的屏蔽库仑相互作用，并普遍出现在半导体的载流子输运理论中。所得结果为解析形式，可用于精确预测场效应晶体管中受库仑相互作用限制的迁移率。
引用
@article{arxiv.1301.2040,
title = {Effect of the Gate-dielectric stack on the quantum screening of the two-dimensional electron gas in silicon inversion layer},
author = {Aniruddha konar and Mohit Bajaj and Rajan K. Pandey and Ninad Sathaye and Murali V. Kota},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.2040},
year = {2013}
}
备注
4 pages,3 Figures withdrawn...crucial issue/policy