真空退火对SiC (0001) MOS结构界面特性的影响

我们研究了真空退火对碳化硅（SiC）金属-氧化物-半导体（MOS）结构界面特性的影响。对于氧化后和一氧化氮（NO）退火样品，SiC导带边（$E_{\rm C}$）附近的界面态密度（$D_{\rm it}$）未因后续真空退火而增加。相反，对于三氯氧磷（POCl$_3$）退火样品，$E_{\rm C}-0.2$ eV处的 $D_{\rm it}$ 由 $1.3\times10^{10}$ 增加至 $2.2\times10^{12}$ cm$^{-2}$eV$^{-1}$，且MOS场效应晶体管（MOSFETs）的沟道迁移率由109降至44 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$。基于二次离子质谱测量结果，讨论了所观测到的 $D_{\rm it}$ 增加的机理。