通过高真空激活退火改善硅金属-氧化物-半导体量子点器件的迁移率
介观与纳米尺度物理
2020-05-21 v2 量子物理
摘要
为改善制备的硅金属-氧化物-半导体（MOS）量子器件的迁移率，形成气体退火是常用于缓解 Si/SiO2 界面无序效应影响的方法。然而，激活退火的重要性通常被忽视。在此，我们表明，与氮气氛相比，用于注入激活的高真空环境有利于改善迁移率。霍尔条的低温输运测量表明，在注入激活过程中使用高真空退火，峰值迁移率可提高两倍，达到 1.5 m^2/(Vs)。此外，绘制了单量子点的电荷稳定性图，未见由无序引起的可见扰动，表明在商用晶圆上制备高质量量子点的可能性。我们的结果可为硅基量子计算中的器件优化提供有价值的见解。
关键词
引用
@article{arxiv.1905.01581,
title = {Improving mobility of silicon metal-oxide-semiconductor devices for quantum dots by high vacuum activation annealing},
author = {Ke Wang and Hai-Ou Li and Gang Luo and Xin Zhang and Fang-Ming Jing and Rui-Zi Hu and Yuan Zhou and He Liu and Gui-Lei Wang and Gang Cao and Ming Xiao and Hong-Wen Jiang and Guo-Ping Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.01581},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 4 figures