通过低氧分压退火降低SiC (0001) MOS结构中的界面态密度

我们报道，在低氧分压（low-p$_{\rm O2}$）环境中退火可有效降低SiC (0001)/SiO$_{\rm 2}$界面在SiC导带边（E$_{\rm C}$）附近的界面态密度（D$_{\rm IT}$）。通过高（1 MHz）-低法估算，氧化后样品在E$_{\rm C}$$-$0.2 eV处的D$_{\rm IT}$值为6.2$\times$10$^{12}$ eV$^{-1}$cm$^{-2}$，在O$_{\rm 2}$（0.001%）中于1500${}^\circ$C后续退火后降至2.4${\times}$10$^{12}$ eV$^{-1}$cm$^{-2}$，且未进行界面氮化。尽管在纯Ar中退火会引起氧化层漏电流，但低氧分压退火（p$_{\rm O2}$ = 0.001 - 0.1 %）不会劣化氧化层介电特性（击穿场强约10.4 MVcm$^{-1}$）。