通过高纯氩退火从SiO2/SiC(0001)界面排出碳
材料科学
2017-10-03 v1
摘要
我们发现，在干氧化的SiO2/SiC(0001)界面处形成的碳相关副产物可通过高纯氩退火分解并被带到SiO2一侧。我们通过二次离子质谱评估了SiO2中排出碳原子的浓度，发现其明显依赖于氧化物形成条件（干氧化、氮化处理和磷处理）。这项工作为存在于SiO2/SiC界面的碳副产物提供了间接但明确的证据，并且表明磷处理去除了碳副产物，从而显著减少了界面缺陷。
引用
@article{arxiv.1705.00814,
title = {Carbon Ejection from a SiO2/SiC(0001) Interface by Annealing in High-Purity Ar},
author = {Takuma Kobayashi and Tsunenobu Kimoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.00814},
year = {2017}
}
备注
13 Pages, 5 figures