Si/SiO$_2$ 界面漏电流的第一性原理研究
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
通过第一性原理计算，从理论上研究了 Si/SiO 界面堆叠结构中缺陷的存在与漏电流之间的关系。我发现，具有悬挂键的界面漏电流比没有任何缺陷的界面大 530 倍，预计这将导致介电击穿。悬挂键的方向与氧化物作为绝缘体的性能密切相关。此外，证明了用氢原子终止悬挂键对于减少漏电流是有效的。
引用
@article{arxiv.0812.2773,
title = {First-Principles Study on Leakage Current through Si/SiO$_2$ Interface},
author = {Tomoya Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.2773},
year = {2015}
}
备注
11 pages. to be published in Phys. Rev. B